Особености на корпоративния свят или размерът на щетите, които могат да бъдат нанесени от малки технически неизредности

https://www.semiwiki.com/forum/content/ ... otten.html

тук интересното е как 14 нм процес е по енерго не ефективен от 16 нм би трябвало да е обратното

16nm на TSMC е FinFET+, което е около 30% по-ефективно от същото без плюса и явно е по-ефективно и от обикновеното FinFET по 14nm на Самсунг. Явно разликата между 14 и. 16 е много по-малка, от колкото с плюс и без плюс .

то от процес до процес разлика голяма, особенно ако си взел и малко know how от някого ..

Това е уравнение с 1000 неизвестни. Едно от тези неизвестни е процеса. Например при аналоговите интегралки, в зависимост от схемата от един момент на татък кристала има по-голяма площ при по-малък технопроцес.
Другия вариянт е от Самсинг да правят номера, защото всеки непродаден айфон е купен Самсунг.

В този регион статичната консумация (leakage) се вдига с намаляването на литографията. Динамичната евентуално се намалява - вече зависи от подхода.
Резултатът е налагането на двете криви и къде се разхожда по тях чипът.

Подобен беше и случаят с Haswell -> Broadwell, май.

Ами както и woody е писал, по голямата статична консумация и по малката динамична донякъде предопределят резултата. Ако го оставо на стендбай тогава нищо чудно и 15% да е разликата в полза на TSMC-то, а при сериозни натоварвания може и самсунга да излезе победител, интресно какъв е тоя gekbench и защо при него резултата е с такава разлика за толкова малко време.