Здравейте, потърсих във форума, но не намерих отговор на този въпрос.

В интернет, формулите, които намерих, са прекалено теоретични и данните от документацията на транзистора не са достатъчни?

Например тук:
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET

Но формулата си е теоретична. За конкретен транзистор по-скоро може да намериш Spice-параметри.

Тези завъртените и аз ги видях, нещо по-лесно търся. Колегата ми каза вчера от преходната характеристика да си видя какво напрежение ми трябва на входа, май така ще направя.

Ако ти е толкоз важен тока- единственият вариант е с "генератор на ток" - да следиш пада му върху точен резистор и да го сравняваш с някакво референтно напрежение с ОУ, който от своя страна да управлява гейта на МОСФЕТа.

Нещо такова, само че смени транзистора:
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/8/81/Op-amp_current_source_with_pass_transistor.svg/368px-Op-amp_current_source_with_pass_transistor.svg.png

Благодаря, Дани! Като се замисля, май не ми е толкова нужна формулата, тъй като транзисторът ще работи, като ключ. Ама и аз, като не съм ги ползвал тези неща, забравил съм ги.

Дани, ще дадеш ли още малко акъл, пък, ако има и друг мераклия, благодарен ще съм?

Искам да превключвам един електронен блок с N-channel MOSFET. От това, което прочетох, разбрах, че е лошо да сложиш товара в сорса на транзистора, защото Vgs може да се промени, което ще влияе на отпушването на транзистора и ще мести работната му точка. Съответно, товарът се слага само към дрейна. Прикачил съм описаното във файл.
За гореописаното нещо не съм сигурен и бих искал да се посъветвам, преди да преправям схемата, да няма ядове после.

От друга страна, по този начин ще трябва да се прекъсва масата на електронния модул. Това би ли създало проблеми, освен за опроводяването, тъй като с P-channel MOSFET се прекъсват само (+) изводите, които са 2, а масата са около 10?

На тази версия употребата на P-channel MOSFET е по-сложна и бих искал да мина само с N. В прикачения файл съм показал как съм използвал 2 транзистора, за да има P-channel MOSFET (долу вляво).

Това погледна ли?

Може да се направи и с N-MOS транзистор и тогава товарът наистина се свързва в сорса му. Само че, гейтовото напрежение се повдига на ~10V над захранващата линия. Така транзисторът е в дълбоко насищане и падът върху него се определя от Rds и протичащия ток.
Гейтовото напрежение може да се получи и с подръчни средства (шепа компоненти), но има и чипове, които са проектирани за тази цел - напр. LM5069 на Natoinal (TI). Той осигурява и защита по ток, повишено или понижено напрежение. Този специално няма вход за разрешение, но може да се изключва като се свърже UVLO входа на маса.

Все пак зависи какъв товар ще управляваш - ако е нещо маломощно и няма нужда от тези защити, по-евтино е да се сглоби нещо с подръчни средства.

Мичев, това не го намерих, като търсих в нета, благодаря! Това, което четох е основно:

http://www.datasheetcatalog.org/datashe ... /70611.pdf

http://www.electronics-tutorials.ws/tra ... ran_7.html

Но, като го погледнах, схемата, която ползват, е почти еднаква с тези, дадени в една от препратките и в прикачения файл, също. Май така ще си остане - с един N и с един P транзистор. Но все още се чудя, има ли проблем с прекъсване на масата, че гледам и тук са показали само вариант, с прекъсване на (+) и 2 транзистора. Интересуваше ме по-скоро решение с един N транзистор, но нещо просто

Благодаря! Ами излишно сложен ми се вижда този вариант, може и да бъркам

Ами то изобщо ще има ли проблем като прекъснеш масата на нещото? То така или иначе няма да работи.
По важно можеби е какво точно се случва докато нещото е включено и дали Rds на транзистора няма да омаже нещо- ако имаш някакви сензори, ацп-та или други подобни в схемата, която искаш да включваш/изключваш.

Всичко много зависи от конкретното приложение.
Ако например нещото ще работи при някакво ниско напрежение- може да използваш mosfet с ниско напрежение на отпушване и съответно на гейта да подаваш захранващото напрежение на нещото + Ugs на отпушване.

Погледни пдф-а, който Мишев ти даде. Първата схема там мисля, че ще е удобна за твоите работи.

Да, Дани, не се сетих за това - падът върху транзистора повдига потенциала на масата на модула. Още повече, че консумацията силно варира. Няма да е с N-канален.

Ами да, и аз се бях спрял на този вариант - с един N и един P канален транзистор.

Благодаря