Отговори на тема  [ 4 мнения ] 
Управление на high-side MOSFET 
Автор Съобщение
Ранг: Новодошъл
Ранг: Новодошъл

Регистриран на: Вто Сеп 20, 2005 10:01 pm
Мнения: 128
Местоположение: София
Мнение Управление на high-side MOSFET
Здравейте на всички.

Търся интересна идея за управление на П-канален МОС, чиито сорс е на високо - 60-90 волта, трябва да се управлява от 12 волтова логика на около 100кХц. В момента съм го направил с кондензатор, който подава импулсите от 0/12В на (Ucc-10)/Ucc. Работи стабилно, обаче... при стартиране докато се зареди кондензатора транзистора седи дълго време отпушен. Решението с трансформатор, би било най-добро, но не ми върши работа откъм габарити и цена. Стигнах до една схема с два транзистора и диод за ускорено отпушване на високия транзистор, но с нея в момента имам проблеми да я нагодя. Тя сигурно ще стане, ама да питам ако на някой му хрумват по-оригинални идеи :wink:

П.С. Давам в атача двете схеми с кондензатора и с транзисторите.

П.П.С. Забравих да добавя, че става въпрос за ДС-ДС преобразувател, други варианти със Н-канален транзистор, или въобще други топологии не вършат работа, трябва ми драйвер конкретно за това.

Предварително се извинявам на всички, които прочетат същото питане в един друг форум.


Прикачени файлове:
mosfet-drive.zip [1.96 KiB]
446 пъти

_________________
късото съединение прави силата
-------------------------------
http://www.zahranvane.com/
Нед Апр 02, 2006 1:47 pm
Профил ICQ WWW
Ранг: Форумен бог
Ранг: Форумен бог
Аватар

Регистриран на: Нед Сеп 26, 2004 4:11 pm
Мнения: 3750
Местоположение: София
Мнение 
Б*х мама му, защо трябва да е точно с P-Mosfet ? Един N е къде - къде по-добре. Въпреки, че се управлява малко по-завъртяно, тий има по-малки паразитни капацитети и по-ниско съпротивление при една цена, сравнен с P-Channel.
Aко все пак държиш на твоето, аз ти предлагам следните промени:
1. Замени диода с PNP транзистор, колектора на маса или на захранването +12V, все тая. Второто е за предпочитане откъм КПД. Така ще имаш много по-голям ток за заряд на гейта. Иначе би трябвало да разчиташ на тока на заряд на емитерния кондензатор на NPN транзистора, което не ми харесва.
2. Не знам какви транзистори ползваш и какви са ти стойностите на пасивностите. Ползвай елементи, предназначено за ключови схеми. BC??? не са за тук.
3. Махни кондензатора в емитера на NPN, остави го да работи като генератор на ток. Махни ценера, само ти внася допълнителен капацитет. Вместо това си сметни резисторите така, че върху "горния" да има около 6-7 волта ( все пак зависи от типа P-MOSFET ! ). Това ще ти даде поне 50% намаление на времето за вкл/изкл на полевия.

Маай по задачите и успех. Пиши после как си го направил и какво се е получило!


Нед Апр 02, 2006 2:16 pm
Профил ICQ
Ранг: Новодошъл
Ранг: Новодошъл

Регистриран на: Вто Фев 21, 2006 11:49 pm
Мнения: 105
Мнение 
Аз лично съм фен готовите схема high-side driver. IR имат най различни такива, в Комет се продава IR2110, която е комбиниарана low and high side. Работи до 600V. Пробвал съм я лично на 70-80V при 100kHz и няма проблем.


Нед Апр 02, 2006 3:35 pm
Профил ICQ
Ранг: Форумен бог
Ранг: Форумен бог
Аватар

Регистриран на: Вто Юни 07, 2005 6:20 pm
Мнения: 3532
Мнение 
Друга идея - тури един диод в права посока свързан Б-К на долния транзистор, ако има проблеми със запушването..


Пон Апр 03, 2006 12:19 am
Профил
Покажи мненията от миналия:  Сортирай по  
Отговори на тема   [ 4 мнения ] 

Кой е на линия

Потребители разглеждащи този форум: 0 регистрирани и 1 госта


Вие не можете да пускате нови теми
Вие не можете да отговаряте на теми
Вие не можете да променяте собственото си мнение
Вие не можете да изтривате собствените си мнения
Вие не можете да прикачвате файл

Търсене:
Иди на:  
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group.
Designed by ST Software for PTF.
Хостинг и Домейни