Ето каква е задачката:
Имам 127V DC двигател, на който трябва да се регулира скоростта чрез серийна порт на компютъра; обратната бръзка ще е скоростта на двигателя.
Аз ще използвам uC - pic18F452, MOSFET драйвер - IR2110, МОSFET - IRFP260;
Проблемът, който срещам е че в спецификацията на IR2110 не са посочени параметрите на кондензаторите и резисторите, които се използват при обкатаването й. Също така, доколкото разбирам трябва да се ползват и двата PWM на uC за LIN и HIN , което ми се струва като разхищение, тъй като винаги е отворен само един MOSFET. Не ми е ясна и ролята на извода SD(shut down).
Не можах да намеря нищо конкретно за IR2110 относно практически приложения.
Ако някой е правил нещо подобно, нека сподели опита си.

На сайта на IRF има design ideas, в които има конкретни примери.
Идеята за подбиране на тези кондензатори (ако става въпрос за bootstrap кондензаторите) е те да имат достатъчен заряд за да могат да заредят гейтовия капацитет на мосфет-а и да го поддържат през времето, през което той е отпушен (става въпрос за горния транзистор). Прекаляването със стойността може да доведе до невъзможност той да се зареди през времето, през което е отпушен долния транзистор. Примерните стойности могат да бъдат 10, 22 или 33 nF, или около 10 пъти по-голям от гейтовия на мосфет-а, работно напрежение колкото е нисковолтовото захранване на IR2110 (с запас, разбира се). За предпочитане нискоиндуктивни кондензатори.
Прегледай и за драйвери на HARRIS, мисля, че техни бяха първите подобни чипове. Май и Fairchild правят такива.

EDIT:
Колкото до SD пина, използва се за бърза максималнотокова защита, хардуерна обикновено, може да се използва за хардуерно разрешаване на силовата част, външен сигнал, който се подава за сигурност и отпада при авария (тъй де, инвертиран).
Ако имаш конкретни въпроси, питай, за да стане по-лесно.
Общо взето, няма кой знае какво, освен гейтовите резистори, опроводяването на масата на чипа и мосфетите.

Още EDIT:
Относно използването на отделни PWM-и - много добре е, че са разделени двата входа, за да можеш да си зададеш "мъртво време" след изключването на единия и преди включването на другия. Иначе заради закъсненията тече ток направо от + към - (за по-напряко заобикаля товара).
Може би трябва да разгледаш другите чипове драйвери на IRF (или ST). Например IR2183 има вградено такова мъртво време и може да ползваш един PWM. По-слаб е като изходен ток, но за твоите нужди трябва да стигне, даже е по-подходящ.

Аз съм пускал трифазно - това е едната фаза
//Кондензаторите са WIMA от Комет

Благодаря ви момчета. С примери най-добре се учи.
Междудругото изнамерих application notes за IR2110 и пак не ми помогнаха много много, тъй като за пресмятането например на bootstrap кондензатора използват формулка която е с много неизвестни( поне за мен). Както и да е.
Ще ползвам схемата на Wise. Тея ценери на гейтовете ми са малко неясни, но ще доверя.

Wise имаш ли накакви проблеми с тази смеха. Използваш ли диоди ,шунтиращи MOSFET-тите. Какво закъснение използваш между двата PWM на LIN и HIN.

gicho какво имаш пред вид опроводяване на масата на чипа и MOSFET-тите.

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf

Позабравил съм вече, но мисля, че беше 1 микросекунда мъртвото
20KHz беше честотата
само вътрешните диоди на мосфетовете без външни
допълнителен резистор за токова защита слагах
Не съм го държал повече от 1/2 часа, защото имаше проблеми с друга част
на устройството. Но не съм забелязал да има нещо нередно
целта беше 3 фази 200Hz по 42 V /10А

кондензатора на ир2110 служи за да осигури захранване на Хай-сайд стъпалото демек стъпалото на транзостора от към плюса, при превключването на двата транзистора този кондензатор се зарежда през един диод. докато е отпушен долниа транзистор и осиурява захранване на горния драйвер за да се отпуши и запуши горниа транзистор, от тук иджат проблемите 1. задължително трабва постоянно да има някаква честота, за да се осигури зареждането на кондензатора. и 2 има ограничение в коефициента на запълване, при много кратки импулси диода няма време да се отпуши и да зареди кондензатора
общо взето от това зависи стойността му, при нормални условия няколко стотин нано фарада вършат работа, но при особени случаи се налага корекция
ценера на гейта има 2 предназначениа да предпази гейта от евентуални пикове в управлението (гейта позволява управление до 15 в, от там нататък никой не знае) и другата роля е ако случайно изгори транзистора да не връща ток към драйвера, обикновено ценера изгаря в късо и се ползва като защита
колкото до диод шунтиращ мосфета... ами той мосфета си има вътре ценер и шотки диод(погледни пдф на съответня транзистор) този ценер до определена мощност върши идеална работа, доста е бърз
опроводяването.... представи си права жица дълга 5 см и сечение 1 кв мм , колко пад на напрежение може да има според теб?при постоянно напрежение може би пада е никакъв, но при високи честоти освен съпротивлението влиза в действие и индуктивността, тази права жица си има индуктивност и съответно и индуктивно съпротивление, което ще рече че пада почва да нараства с нарастването на честотата, и ако тази жица ти е масата, на едно място имаш 0 волта 5см в страни имаш някакви импулси ... и ако погледнеш с хубав осцилоскоп и хубава сонда виждаш някакви кратки пикове с огромна амплитуда, което в накои случаи се оказва фатално, за това се прави разделяне на масите - масата за захранване на транзистора не се ползва за нищо друго, ако искаш маса за драйвера на транзистора, масата я хващаш с отделна жица от самия крак на транзистора, ако хванеш не от крака а 5 см в страни към управлението на транзистора се добавят и тези пикове, което при по големи токове може да изгори транзистора или драйвера или и двете

Опроводяването на платката - на ръка с максимално внимание и яки шини
за масата и захранването. Драйверът - близо до транзисторите.
20 KHz е доста, но на мен ми трябваше да постигна 200 Hz синосуида на 3 фази.
Нормално китайците работят м/у 10-15 KHz.
Теоретично би трябвало да се работи над "чуваемата" ама на практика не е така.
На схемата няма електролита на захранването, но то е ясно - по-хубав да е и ако
са няколко - не вреди.

Ами да не се забравя - масата на чипа да отива към пина на долния мосфет, и оттам да тръгва мощната пътека, т.е. да гарантираш че масата на чипа е еквипотенциална със сорса на мосфета (долния). Грешно би било сорса на мосфета да тръгва нанякъде, и някъде към тази пътека да се "включи" масата от драйверния чип. Разделяне на силовата маса и масата от драйверите напред - иначе падът върху пътеката между сорса на мосфета и точката на включване на масата на чипа се изважда от управляващото напрежение и стават неприятни ефекти.

EDIT:
За гейтовите резистори не знам дали някой спомена, но един съвет - има оптимално време на отпушване, тия драйвери могат да сцепят мосфета и да го отпушат за под 100нс, но в дрейна ще имаш огромни стойности на di/dt, а при индуктивен товар, и du/dt. Така че съобрази времето на отпушване (и запушване) на мосфетите с работната си честота. Ако работиш на няколко килохерца, нямаш нужда от такива скорости. Из нета се намират схеми на гейтови вериги, които осигуряват плавно отпушване на транзистора (резистор и диод или ценер).

EDIT:
Гледам, че nik го е написал вече. Ако все пак решиш да гледаш с осцилоскоп, пусни го през галванично отделящ трансформатор.

Незнам защо ,но не мога да я подкарам тази схема - IR2110.
Малко уточняващи въпроса:
- трябва ли Vss и COM на IR2110 да са свързани заедно;
- ако приложим 5V на HIN или LIN, не трябва ли да получим 15V на HO и LO съответно(при Vcc=15V) ;
- SD=0V e работно положение на схемата, нали?;

Когато свържа Vss и COM и приложа да речем 5V на HIN, на HO си остава 0V, същото е и при LIN=5V -> LO=0V.